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100kW组串式逆变器

100kW三相组串式光伏逆变器,双路MPPT输入,支持1500V直流系统,满足工商业光伏电站需求。

⚡ 新能源 🔧 80~200 颗芯片 🇨🇳 国产化率 70%
5
功能模块
5
关键芯片
2
芯片厂商
80~200
芯片总量
SYSTEM ARCHITECTURE · 系统架构
PV输入
☀️ MPPT1(1500V)
☀️ MPPT2(1500V)
🛡️ 防雷SPD
📊 PV电压采样
▼ PWM Gate Drive
功率级
三相IGBT模块
🔌 隔离栅极驱动
🔧 滤波电抗器
▼ SPI / ADC / PWM
控制层
🧠 双核DSP(F28379D)
📊 隔离采样
💾 参数EEPROM
并网层
🔌 AC断路器
📡 电网检测
🛡️ 防孤岛保护
通信层
📡 RS485/Modbus
📶 Wi-Fi/4G
🖥️ LCD显示

设计难度评估

硬件设计
1500V高压隔离+大电流功率回路
软件开发
MPPT+并网+LVRT+防孤岛算法
EMC/安规
IEC62109安全+EMC+电网标准
散热设计
IGBT损耗分析+散热器选型
认证
CGC/TÜV/UL + 电网适应性测试
供应链
IGBT/电容/磁性元件成熟
🇨🇳 国产化替代分析
DSP主控以TI为主,IGBT模块英飞凌/富士/三菱主导。国产替代:DSP(芯旺KF32/先楫HPM6700)、IGBT(斯达半导/中车时代)、驱动IC(纳芯微NSi6602)、电流传感器(纳芯微NSM201x)。
涉及芯片厂商: 德州仪器(TI)、英飞凌(Infineon)

🔧 功能模块与关键芯片

🧠 主控DSP

逆变控制和MPPT算法。

芯片型号制造商功能简介替代方案
TMS320F28379D
¥30-60
德州仪器(TI) 双核C28x+CLA 200MHz,电力电子旗舰DSP
双核并行 CLA实时加速 高精度PWM Sigma-Delta滤波
F28388D(新一代) dsPIC33CK(Microchip) RZ/T2M(瑞萨)

⚡ 功率级IGBT

三相全桥逆变功率模块。

芯片型号制造商功能简介替代方案
FF150R12ME4
¥300-500
英飞凌(Infineon) 1200V/150A IGBT模块,三相全桥
三相全桥集成 低Vce PressFIT免焊 内置NTC
FP100R12KT4(Infineon) CM200DY-12NF(三菱) 2MBI150VB-120(富士)

🔌 IGBT驱动

隔离栅极驱动器。

芯片型号制造商功能简介替代方案
2ED020I12-F2
¥10-20
英飞凌(Infineon) 双通道IGBT隔离驱动,1200V
双通道隔离 大驱动电流 UVLO保护 死区内置
Si8274(SiLabs) UCC21530(TI) ACPL-332J(Broadcom)

📊 直流采样

PV输入电压电流采样。

芯片型号制造商功能简介替代方案
AMC1311
¥5-10
德州仪器(TI) 高精度隔离放大器,±250mV输入
高精度隔离 超低偏移 宽带宽 车规可选
HCNR201(Broadcom) ISO224(TI) ACPL-C87B(Broadcom)

📡 并网通信

电网通信和监控接口。

芯片型号制造商功能简介替代方案
DP83867
¥5-10
德州仪器(TI) 千兆以太网PHY,工业温度
千兆速率 工业温度 低功耗 ESD保护
KSZ9031(Microchip) RTL8211F(瑞昱) LAN8742(Microchip)

💰 BOM 成本估算

¥8000-18000
芯片BOM参考总成本
IGBT功率模块
35%
¥5000.00
DSP+采样IC
7%
¥1000.00
磁性元件
21%
¥3000.00
电容(直流+交流)
14%
¥2000.00
散热+风扇
7%
¥1000.00
壳体+PCB+连接器
16%
¥2300.00

🎯 设计锦囊 · 工程师经验

🔲
1500V高压走线
PV输入1500V DC,PCB爬电距离按IEC60664,8mm以上。高压侧与低压侧开槽隔离>4mm。功率回路走线用2oz铜厚,载流面积>2mm²/A。IGBT Gate驱动走线尽量短(<30mm),减少振荡。
🐛
MPPT算法调优
扰动观察法(P&O)步长0.5-2V,采样周期50-100ms。阴影条件下推荐全局MPPT(扫描法)。双路MPPT独立控制,每路跟踪精度>99.5%。IV曲线扫描功能用于诊断组件衰减。
📡
EMI抑制方案
共模电流通过PV板寄生电容回流,需加共模滤波器(CMC+Y电容)。IGBT开关dv/dt>5kV/μs是主要EMI源。PCB地平面完整,DC+和DC-走线紧耦合。输出滤波器LCL参数需谐振计算。
🛡️
LVRT低电压穿越
电网故障时逆变器需保持并网运行(LVRT),0V维持0.15s。注入无功电流支撑电网电压(电压每下降10%注入2%额定无功)。过电压保护OVP 1.1Vn跳闸。防孤岛<2s检测断开。
💰
SiC替代趋势
100kW以上逐步从Si IGBT切换到SiC MOSFET。SiC效率提升1-2%(从96%→98%),散热器可缩小40%。SiC模块成本约IGBT的2-3倍,但系统级成本持平。推荐英飞凌CoolSiC或Wolfspeed模块。
🚧 功能开发中 Coming Soon
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